【LED凈化燈】恒流驅動(dòng)電源設計的步驟

2017-08-10 09:55:40 admin
LED凈化燈作為一種新的照明用光源,正在逐漸得到大規模和大范圍內的應用;決定LED燈的性能和壽命的核心部分是LED恒流驅動(dòng)電路,LED燈的壽命(光亮度衰減)與驅動(dòng)電流的穩定性和電流紋波或雜訊息息相關(guān)。

  本文以交流AC供電到輸出恒定直流DC為例,設計中必須進(jìn)行的幾個(gè)步驟,搞定LED恒流驅動(dòng)電源設計。

  第一步:明確所設計LED凈化燈驅動(dòng)反激電源技術(shù)要求

  我們今天先從AC-DC用單端正激式開(kāi)關(guān)電源拓撲開(kāi)始,因為它是一種小型、經(jīng)濟,也是開(kāi)關(guān)電源應用較多一種,并且它功率輸出在50~200W是最合適的。設計技術(shù)要求如下:

  輸入電壓:交流220V±10% 紋波電壓UP:0.5V

  輸出電壓UO:15V 輸出波動(dòng)電流IP:±0.1A

  輸出電流IO:10A 占空比:D max=0.42

  第二步:LED凈化燈恒流反激電源設計步驟

  1,總體流程圖

  如同開(kāi)關(guān)電源設計一樣,LED凈化燈驅動(dòng)反激電源也是先進(jìn)行總體考慮,然后對電源各部分分別進(jìn)行設計,接下來(lái)就是設計總體和輔助功能,最后進(jìn)行測試和設計優(yōu)化的。下面設計步驟流程:

  2. 驅動(dòng)電源模塊功能圖

  第三步:變壓器設計

  1、輸出變壓器次級電壓U2計算


  
  UL是輸出扼流圈在內次級線(xiàn)圈的電壓降,Uf是輸出二極管的正向電壓。最低的次級電壓U2min為:


  
  設:

  (設定肖特基二極管),則

  2、初、次級線(xiàn)圈計算

  輸入直流電壓U1的最小值使用按輸出電路計算求得的U1min值。根據中國輸配電情況U1=200~253V,則變壓比N為

  根據輸出容量磁心尺寸關(guān)系表3-4 [2] 選取EI-30。它的有效面積為S=111mm2。

  磁心材質(zhì)相當于TDK的H7C4,最大工作磁道密度Bm可從圖3-4中查得.實(shí)際使用時(shí)的磁心溫度約100℃,且要選擇能保持線(xiàn)性范圍的Bm,即0.3T以下。當磁心溫度有100℃,工作頻率200KHz時(shí),約減少0.1T而成為 。根據線(xiàn)圈計算公式則,

  因而次級N2 = 4,式中Bm為磁心的磁通密度(T);S為磁心的有效截面積(mm2)。初級線(xiàn)圈的匝數則是以下公式確定。

  次級線(xiàn)圈所需要的電壓U2min一定要充分,因此要進(jìn)行ton max的修正計算。

  則有,

  Dmax修正結果為0.42,仍然在0.4~0.45范圍內,可以繼續使用以下計算。

  第四步:輸出濾波器設計

  在開(kāi)關(guān)電源中帶磁心的電感器,一般采用電感線(xiàn)圈Lf 與輸出濾波電容器Cf 構成的“L”型濾波器如下圖。電感線(xiàn)圈對高頻成分呈現很高的感抗,而電容對高頻成分呈現很小容抗,已達到在電路中抑制紋波和平滑直流的作用。

  1、輸出扼流圈的電感值設計

  計算流入輸出扼流圈電流

  L為輸出扼流圈的電感(μH); 為輸出電流的10%~30%。則有

  電感L值為:

  由此可見(jiàn),需要11.86μH,10A的扼流圈。

  2、輸出濾波電容的確定

  輸出電容器的選定取決于輸出脈動(dòng)電壓控制在多少毫伏。輸出脈動(dòng)電壓 雖要根據 和輸出電容器的等效串聯(lián)電阻 確定,但一般規定為輸出電壓的0.3%~0.5%范圍。

  又因

  就是在200HKz范圍內,需要 值在37.5m 以下電容器的。所以可以選擇20V,8200 H,則 為31m ,容許脈動(dòng)電流為2.9Ams.

  流向電容器的紋波電流為:

  即0.58A<2.9A,說(shuō)明電容合適

  3、濾波器電阻設計

  要想不是輸出扼流圈的電流中斷而直接使用時(shí),可以假設電阻值Rd

  則假設電阻Rd電耗為 Wrd

  第五步:復位電路計算

  復位電路如圖所示。開(kāi)關(guān)功率管VT1接通時(shí),變壓器T1的磁通增加,磁能被儲存到T1,當VT1截止時(shí),即放出這種受激磁的磁能下圖復位線(xiàn)圈到T1上以在VT1截止時(shí)通過(guò)VD1把磁能反饋到輸入。

  則磁復位串接在N3的中二極管VD1承受最大電壓為

  那么選擇VD1額定電壓為800V,這樣基本符合要求的。

  第六步:功率開(kāi)關(guān)管選擇

  圖為MOSFET型功率開(kāi)關(guān)管,它主要具有驅動(dòng)功率小,器件功率容量大;第二個(gè)顯著(zhù)特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快,工作頻率高,另外他的熱穩定性?xún)?yōu)于GTR等優(yōu)點(diǎn),也是目前開(kāi)關(guān)變換器廣泛應用的開(kāi)關(guān)器件。

  根據單端正激式變換器計開(kāi)關(guān)管VT1承受最大電壓公式得:

  流過(guò)MOSFET開(kāi)關(guān)管最大電流為:

  根據下面功率MOSFET表3.7,可以選擇2SK2718型號。它的最高承受電壓為900V,允許最大電流為2.5A,而功率損耗是40W,是上面功率最小損耗的。

  第七步 輸出二極管選擇

  輸出二極管有肖特基二極管(SBD),低損耗二極管(LLD)、高速二極管(FRD)。輸出為低壓大電流時(shí)應采用肖特基二極管,其他則采用低損耗或調整二極管。

  (1.)選擇二極管時(shí)要注意選擇反向恢復時(shí)間trr快的二極管。

  這是因為主開(kāi)關(guān)元件閉合時(shí)反向流入二極管的電流會(huì )影響初級線(xiàn)圈開(kāi)關(guān)特性并致使損耗增大。同時(shí),輸出噪聲也會(huì )受很大影響的。所以輸出整流二極管選擇一般原則有四點(diǎn)。

  1、選用正向壓降VDF小的整流二極管;

  2、選用反向恢復時(shí)間trr整流二極管;

  3、選用正向恢復電壓VFRm整流二極管;

  4、選用反向漏電流IR小整流二極管。

  (2.)續流二極管VD2選擇

  續流二極管VD2上的反向電壓UVD2與輸出變壓器次級電壓的最大值是相同的。根據單端正激式變換器公式得:

  流過(guò)它方向電流Ir一般看作與IO大致相同的,即 Ir=Io=10A..

  可選擇低損耗二極管MBR1545 作為續流二極管它參數為,Uds=45V, IO=15A,trr<1.0ns。

  第八步:恒流輸出電路設計

  1、恒流輸出原理

  任何電源要實(shí)現恒流功能,均需對電源的輸出電流進(jìn)行檢測取樣,與電流設置值即參考值進(jìn)行比較,經(jīng)負反饋放大調節(P、PI、PID)。線(xiàn)性串聯(lián)穩壓是調節調整管的壓降,而開(kāi)關(guān)電源是調節變換器的脈寬(或占空比),維持輸出電流的恒定。

  下圖是恒流控制反饋系統圖。圖中Iref是電流設置基準;CR是電流PI調節;Kfi是電流取樣反饋系數;RS、Ro是電流取樣電阻和負載電阻。該系統采用是電流模式控制,可以檢測變換器輸出電流,適當地選取反饋系數Kfi, 通過(guò)P(比例)、PI(比例積分)、PID(比例積分微分器)實(shí)現恒流控制。在反饋系數不變情況下,也可以通過(guò)改變電壓或電流實(shí)現恒流值控制。

  下圖是恒流電源常用電路,其中采樣電阻RS串聯(lián)在功率回路里,作為回路電流的采樣元件。它把回路電流轉換成電壓信號,并與基準電壓Uref在放大器中進(jìn)行比較放大,然后將其送至調整管VT的基極,驅動(dòng)調整管VT對輸出電流IO變化進(jìn)行補償校正。就可以實(shí)現恒流輸出的。

  2、恒流輸出計算

  恒流輸出電路是采用集成穩壓器構成的開(kāi)關(guān)恒流源電路構成如下圖所示。MC7815為三端固定式集成穩壓器,RL為L(cháng)ED二極管負載電阻,RW為可調電阻器。

  工作原理:固定式集成穩壓器工作在正常狀態(tài),在輸出2和公共端3之間接一電位器RW,從而形成一固定恒流源。調節RW,可以改變電流的大小,其輸出電流為

  式中Iq為MC7815的靜電流,小于10mA。當RW較小即輸出電流較大時(shí),可以忽略Iq。當電路中電壓或者是負載發(fā)生變化時(shí),MC7815用改變自身壓差來(lái)維持通過(guò)負載的電流不變的。

  設RW=1~15 時(shí),那么它輸出恒定電流變化范圍

  因此可以實(shí)現10A恒流輸出的。

  第九步:緩沖吸收電路設計

  在開(kāi)關(guān)電源中,由于變壓器的漏感、布線(xiàn)的引線(xiàn)電感存在、開(kāi)關(guān)管在關(guān)斷瞬間會(huì )產(chǎn)生很高的電壓尖峰脈沖。整流快速恢復二極管由于存在存儲效應,反向恢復過(guò)程中也會(huì )出現很高的反向恢復的碾壓尖峰脈沖。這些過(guò)電壓尖峰脈沖的出現不但危及功率器件的工作安全性,而且形成很強的電磁干擾噪聲。為此必須在功率器件兩端設計尖峰電壓緩沖吸收電路。緩沖電路圖如圖中紅框部分:

  從緩沖電路中均有電容器元件,電容器的端電壓不能突變,當MOSFET功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷是形成尖峰電壓脈沖能量轉移到電容器中儲存,然后電容器的儲能通過(guò)電阻消耗或返回電源,起到緩沖吸收電壓尖端作用。而輸出二極管兩端產(chǎn)生的反向浪涌電壓同時(shí)也受到限制,這樣因此反向浪涌電流就會(huì )隨之而減少,以及減少損耗和可能出現振蕩。

  第十步 控制電路設計

  下面采用是μPC1094C控制電路

  芯片框圖及引腳說(shuō)明

  1、振蕩器

  振蕩器的振蕩頻率fosc有接在引腳6上的定時(shí)電阻器R17與接在引腳5上的定時(shí)電容器C15決定的。當 時(shí)振蕩頻率 。

  2、啟動(dòng)電路

  啟動(dòng)電路由接在引腳8上R14接上外部電源為芯片工作提供Vcc=15V電源,而接在引腳9上是通過(guò)R10接在外部電路提供集電極電壓。

  3、限流電路

  過(guò)流保護電路由R18、R19 、C16組成。它們是接到引腳3上的,在正常情況下,引腳3上電壓低于200mV。當出現過(guò)流時(shí),引腳3上的電壓超過(guò)200mV的正負閥值,輸出級被鎖定為低電平,下個(gè)脈沖周期來(lái)之前,過(guò)流閉鎖器復位,對下個(gè)周期的過(guò)電流進(jìn)行檢測,限制脈沖寬度。

  4、過(guò)電壓保護電路

  過(guò)電壓保護電路由光電耦合器PC1、R16組成的。當輸出電壓超過(guò)15V時(shí),光電耦合器PC1動(dòng)作,經(jīng)過(guò)引腳2接入反饋電壓電路,使輸出級鎖定為低電平。

  5、最大占空比的設定和軟啟動(dòng)

  最大占空比是由電阻器R14、R15分壓比來(lái)確定的。為了防止變壓器的磁飽和,

  當電源電壓剛啟動(dòng)時(shí),與R14并聯(lián)的電容器C14上電壓不能突變,引腳1上電壓為UREF,占空比為最大的。
  
  6、輸出電壓控制電路

  輸出電壓可通過(guò)調節R5、R6、R7組成分壓電路確定的:

  第十一步:PCB布線(xiàn)

  在畫(huà)PCB布線(xiàn)時(shí),應先確定元器件的位置,然后布置地線(xiàn)、電源線(xiàn)、再安排高速

  信號線(xiàn),最后考慮低速信號線(xiàn)[8]。

  元器件的位置應按電源電壓、數字及模擬電路、速度快慢、電流大小等進(jìn)行分組,以免相互干擾。格局元器件的位置可以確定PCB連接器各個(gè)引腳的安排。所有連接器應安排在PCB的一側,盡量避免從兩側引出電纜,減少共模輻射。

  1、電源

  在考慮安全條件下,電源線(xiàn)應盡可能近地線(xiàn),減小差模輻射的環(huán)面積,也有助于減小電路的交擾。

  2、時(shí)鐘線(xiàn)、信號線(xiàn)和地線(xiàn)位置

  信號線(xiàn)與地線(xiàn)距離較近,形成的環(huán)面積較小;這樣才合理的。

  3、按邏輯速度分割

  當需要在電路板上布置快速、中速和低速邏輯電路時(shí),高速的器件應按放在緊靠邊緣連接器范圍內,而低速邏輯和存儲器,應放在遠離連接器范圍內。這樣對共阻抗耦合、輻射和交擾的減小都是有利的。

  4、應避免PCB導線(xiàn)的不連續性

  1)、跡線(xiàn)寬度不要突變;

  2)、導線(xiàn)不要突然拐角。

  以上幾個(gè)設計步驟,是設計LED恒流驅動(dòng)電源的一般步驟,今天就介紹到這里。

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  工作原理:固定式集成穩壓器工作在正常狀態(tài),在輸出2和公共端3之間接一電位器RW,從而形成一固定恒流源。調節RW,可以改變電流的大小,其輸出電流為

  式中Iq為MC7815的靜電流,小于10mA。當RW較小即輸出電流較大時(shí),可以忽略Iq。當電路中電壓或者是負載發(fā)生變化時(shí),MC7815用改變自身壓差來(lái)維持通過(guò)負載的電流不變的。

 

  設RW=1~15 時(shí),那么它輸出恒定電流變化范圍

  因此可以實(shí)現10A恒流輸出的。

 

  第九步:緩沖吸收電路設計

 

  在開(kāi)關(guān)電源中,由于變壓器的漏感、布線(xiàn)的引線(xiàn)電感存在、開(kāi)關(guān)管在關(guān)斷瞬間會(huì )產(chǎn)生很高的電壓尖峰脈沖。整流快速恢復二極管由于存在存儲效應,反向恢復過(guò)程中也會(huì )出現很高的反向恢復的碾壓尖峰脈沖。這些過(guò)電壓尖峰脈沖的出現不但危及功率器件的工作安全性,而且形成很強的電磁干擾噪聲。為此必須在功率器件兩端設計尖峰電壓緩沖吸收電路。緩沖電路圖如圖中紅框部分:

    從緩沖電路中均有電容器元件,電容器的端電壓不能突變,當MOSFET功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷是形成尖峰電壓脈沖能量轉移到電容器中儲存,然后電容器的儲能通過(guò)電阻消耗或返回電源,起到緩沖吸收電壓尖端作用。而輸出二極管兩端產(chǎn)生的反向浪涌電壓同時(shí)也受到限制,這樣因此反向浪涌電流就會(huì )隨之而減少,以及減少損耗和可能出現振蕩。

 

  第十步 控制電路設計

 

  下面采用是μPC1094C控制電路

 

  芯片框圖及引腳說(shuō)明

  1、振蕩器

 

  振蕩器的振蕩頻率fosc有接在引腳6上的定時(shí)電阻器R17與接在引腳5上的定時(shí)電容器C15決定的。當 時(shí)振蕩頻率 。

 

  2、啟動(dòng)電路

 

  啟動(dòng)電路由接在引腳8上R14接上外部電源為芯片工作提供Vcc=15V電源,而接在引腳9上是通過(guò)R10接在外部電路提供集電極電壓。

 

  3、限流電路

 

  過(guò)流保護電路由R18、R19 、C16組成。它們是接到引腳3上的,在正常情況下,引腳3上電壓低于200mV。當出現過(guò)流時(shí),引腳3上的電壓超過(guò)200mV的正負閥值,輸出級被鎖定為低電平,下個(gè)脈沖周期來(lái)之前,過(guò)流閉鎖器復位,對下個(gè)周期的過(guò)電流進(jìn)行檢測,限制脈沖寬度。

 

  4、過(guò)電壓保護電路

 

  過(guò)電壓保護電路由光電耦合器PC1、R16組成的。當輸出電壓超過(guò)15V時(shí),光電耦合器PC1動(dòng)作,經(jīng)過(guò)引腳2接入反饋電壓電路,使輸出級鎖定為低電平。

 

  5、最大占空比的設定和軟啟動(dòng)

 

  最大占空比是由電阻器R14、R15分壓比來(lái)確定的。為了防止變壓器的磁飽和,

 

  當電源電壓剛啟動(dòng)時(shí),與R14并聯(lián)的電容器C14上電壓不能突變,引腳1上電壓為UREF,占空比為最大的。

 

  6、輸出電壓控制電路

 

  輸出電壓可通過(guò)調節R5、R6、R7組成分壓電路確定的:

 

  第十一步:PCB布線(xiàn)

  在畫(huà)PCB布線(xiàn)時(shí),應先確定元器件的位置,然后布置地線(xiàn)、電源線(xiàn)、再安排高速

 

  信號線(xiàn),最后考慮低速信號線(xiàn)[8]。

 

  元器件的位置應按電源電壓、數字及模擬電路、速度快慢、電流大小等進(jìn)行分組,以免相互干擾。格局元器件的位置可以確定PCB連接器各個(gè)引腳的安排。所有連接器應安排在PCB的一側,盡量避免從兩側引出電纜,減少共模輻射。

 

  1、電源

 

  在考慮安全條件下,電源線(xiàn)應盡可能近地線(xiàn),減小差模輻射的環(huán)面積,也有助于減小電路的交擾。

 

  2、時(shí)鐘線(xiàn)、信號線(xiàn)和地線(xiàn)位置

 

  信號線(xiàn)與地線(xiàn)距離較近,形成的環(huán)面積較小;這樣才合理的。

 

  3、按邏輯速度分割

 

  當需要在電路板上布置快速、中速和低速邏輯電路時(shí),高速的器件應按放在緊靠邊緣連接器范圍內,而低速邏輯和存儲器,應放在遠離連接器范圍內。這樣對共阻抗耦合、輻射和交擾的減小都是有利的。

 

  4、應避免PCB導線(xiàn)的不連續性

 

  1)、跡線(xiàn)寬度不要突變;

 

  2)、導線(xiàn)不要突然拐角。

 

  以上幾個(gè)設計步驟,是設計LED恒流驅動(dòng)電源的一般步驟,今天就介紹到這里。


  

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